三星大规模生产全球首款4GB HBM2显存，N卡喜讯频传

三星电子今天公布，其已开始大规模生产行业首款基于第二代HBM（HBM2）技术的4GB DRAM显存颗粒，这一新产品可广泛应用于高端显卡、高性能计算（HPC）、网络系统和企业级服务器等领域。

三星的4GB HBM2显存采用了其最先进的20nm制造工艺，结合了创新的芯片设计，使用了与128GB DDR4内存相同的3D TSV硅通孔技术。

该显存的底部集成了一个缓冲芯片，其上方堆叠有四个8Gb（1GB）容量的HBM2 DRAM芯片，通过TSV孔和微凸焊点实现了垂直连接。

值得注意的是，每个8Gb HBM2芯片上有超过5000个TSV孔，这一数量比8Gb DDR4增加了36倍，大大提升了数据的传输速度和整体性能。

新款显存的带宽达到256GB/s，是第一代HBM的两倍，与4Gb GDDR5的带宽相比则高出了七倍，并且支持ECC错误校验，以提高系统的可靠性。

只需两颗这样的芯片，显卡就能轻松实现8GB显存容量和512GB/s的显存带宽，远超HBM1和GDDR5的性能。

三星还计划在今年推出8GB HBM2，容量将再增加一倍，一颗芯片便能满足高端显卡的需求，相较于GDDR5可节省95%的电路板空间。

去年，AMD Fiji系列显卡首度采用HBM，供应商为韩国的SK海力士，而将在今年的Polaris（北极星）系列中配备第二代HBM，但具体规格尚未公开。——AMD首次采用的HBM单芯片容量为1GB，四颗合成4GB，仍未能完全满足顶级GPU的需求。

NVIDIA的Pascal（帕斯卡）系列将直接使用HBM2，选用的正是来自三星的解决方案，不过最快在第二季度发布的产品并非顶级核心与HBM2显存，这类旗舰产品预计要到下半年或明年才能面世。

JEDEC标准协会最近也修订了HBM标准，最高支持到8GB的容量和256GB/s的带宽，并引入了TSV生产工艺。这表明，三星的HBM2必将符合这一新的标准规范。

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