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比亚迪半导体孙允帅：IGBT 5.0技术已进入量产阶段
发布时间：2021年12月31日 11:44:04 比亚迪 人已围观
简介近日，第三届硬核中国芯领袖峰会暨汽车芯片技术创新与应用论坛在线召开，比亚迪半导体功率半导体产品中心的高级市场经理孙允帅参与会议，并就《车规IGBT技术的最新进展》进行了...
最近，第三届硬核中国芯领袖峰会暨汽车芯片技术创新与应用论坛以线上形式召开。比亚迪半导体的功率半导体产品中心高级市场经理孙允帅在本次云峰会上发表了题为《车规IGBT技术的最新进展》的演讲。
孙允帅指出，2018年，比亚迪半导体推出了在车规级领域具有标杆意义的IGBT 4.0技术。该技术采用精密的平面栅设计，使得在相同条件下，其综合损耗相比市场主流产品降低了约20%，从而显著减小了整车的电能消耗。
他还透露，比亚迪半导体基于高密度Trench FS的IGBT 5.0技术已经实现量产。IGBT 5.0（Trecnch FS IGBT）采用微沟槽结构及复合场中止技术，成功降低了导通损耗和开关损耗，并通过先进的复合场终止技术实现了软关断。
比亚迪半导体IGBT5.0芯片
同时，该公司正积极推进新一代IGBT技术的研发，旨在进一步提升IGBT芯片的电流密度、增强功率半导体的可靠性、降低产品成本，并提升应用系统的整体功率密度。
展望未来，比亚迪半导体计划在核心技术、制造工艺和结构设计等多个方面不断追求创新和突破。
关于下一代功率器件核心的硅碳（SiC），他表示，比亚迪半导体的SiC车用功率模块采用Pin-fin直接水冷结构，体积紧凑，仅有手掌大小，输出功率达250KW，其优越性能在新能源汽车电机驱动中显著提升了效率，并且使电机驱动控制器的体积减小了60%以上。
比亚迪半导体SiC功率模块
“未来，比亚迪半导体将向超小型双面烧结SiC技术发展，该技术具有应用灵活和散热效率高等优点。目前相关产品仍在研发中，预计将实现产品革新的重大进展。”孙允帅表示。
