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国产 DDR5 表现出色，良品率达 80％，工艺达 17.5 纳米，可与三大原厂媲美！
发布时间：2024年12月24日 16:38:27 最热 人已围观
简介近日，金百达、光威发布国产芯片 DDR5 内存产品，频率 6000MHz、单条 16GB，套装 499 元，芯片或为长鑫存储。...
12 月 24 日，快科技消息称，金百达和光威近日推出了采用国产芯片的 DDR5 内存产品，频率为 6000MHz，单条容量 16GB，双条套装价格 499 元。种种迹象表明，该 DDR5 芯片可能来自长鑫存储，且其已实现规模化量产。
长鑫此前的主要产品是 DDR4、LPDDR4、LPDDR4X 系列，制造工艺为 19 纳米。2023 年 11 月，长鑫正式推出用于移动端的 LPDDR5，如今又进军 DDR5 领域，与三星、SK 海力士、美光三大原厂并驾齐驱。
据半导体行业人士消息，长鑫存储已开始生产 DDR5，并与客户进行接触，其公布的产品良率约为 80％。而三星、SK 海力士的 DDR5 芯片良率在 80-90％左右，这意味着长鑫已达到国际先进水平，且还有提升空间。
半导体行业观察机构的 Jeongdong Choi 博士也在密切关注长鑫 DDR5，并寻找机会进行分析。他透露，虽然长鑫未公开官方信息，但据他所知，DDR5 通常使用 G3 工艺开发，线宽（特征尺寸）为 17.5 纳米。相比之下，DDR4 使用的是 G1 工艺，线宽 22 纳米，LPDDR4X 则使用 G1、G3。
值得一提的是，长鑫已被美国列入实体清单，无法获得三大原厂同款的 EUV 光刻设备，但仍能以高良率量产 DDR5，这是一项重大突破。
此外，长江存储今日发布了致态 TiPro9000，这是其首款 PCIe 5.0 SSD，采用了新一代晶栈 Xtacking 4.0 架构闪存。虽未透露具体层数，但表示其具有更高的存储密度、I/O 速度和可靠性，同样令人鼓舞！
