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俄罗斯自主研发EUV光刻机亮相：11.2nm光源，每小时可处理60片12吋晶圆
发布时间：2024年12月21日 15:12:41 最热 人已围观
简介俄罗斯公布光刻机路线图，目标是打造更经济的 EUV 光刻机，采用 11.2nm 镭射光源，而非 ASML 的 13.5nm 波长。...
12 月 21 日消息，Cnews 报道称，俄罗斯已公布其自主研发的光刻机路线图，旨在打造比 ASML 系统更经济的 EUV 光刻机。这些光刻机将采用 11.2nm 的镭射光源，而非 ASML 使用的 13.5nm 标准波长。
因此，新技术与现有 EUV 基础设施不兼容，俄罗斯需要自行开发配套的曝光生态系统，这可能需要数年甚至十年以上的时间。
该光刻机开发计划由俄罗斯科学院微观结构物理研究所的 Nikolay Chkhalo 领导，目标是制造出具有竞争力且成本优势的光刻机。具体而言，俄罗斯将采用 11.2nm 的氙（xenon）基镭射光源，取代 ASML 的基于激光轰击金属锡（tin）液滴产生 EUV 光源的系统。
Chkhalo 表示，11.2nm 的波长可将分辨率提高约 20%，不仅能简化设计并降低光学元件成本，还能呈现更精细的细节。此外，该设计可减少光学元件的污染，延长收集器和保护膜等关键部件的寿命。
俄罗斯曝光机还可使用硅基光阻剂，预计在较短波长下将有更出色的性能表现。尽管该光刻机的晶圆制造产能仅为 ASML 设备的 37%，主要是因为其光源功率仅为 3.6 千瓦，但也足以满足小规模芯片生产需求。
尽管 11.2nm 波长仍属于极紫外线光（EUV）谱范围，但这并非简单的小幅调整。因为所有光学元件，包括反射镜、涂层、光罩设计和光阻剂，都需要针对新波长进行特殊设计和优化。因此，镭射光源、光阻化学、污染控制和其他支持技术也需要重新设计，以确保在 11.2nm 波长下的有效运行。
基于 11.2nm 波长的工具很难直接与现有基于 13.5nm 的 EUV 架构和生态系统兼容，甚至电子设计自动化（EDA）工具也需要更新。虽然现有 EDA 工具仍可完成逻辑合成、布局和路由等基本步骤，但涉及曝光的关键工艺，如光罩数据准备、光学邻近校正（OPC）和分辨率增强技术（RET），则需要重新校准或升级为适合 11.2nm 的新工艺模型。
据报道，该光刻机的开发工作将分为三个阶段。第一阶段将专注于基础研究、关键技术识别和初步元件测试；第二阶段将制造每小时可处理 60 片 200 毫米晶圆的原型机，并整合到国内芯片生产线中；第三阶段的目标是打造一套可供工厂使用的系统，每小时可处理 60 片 300 毫米晶圆。目前尚不清楚这些新的曝光工具将支持哪些工艺技术，路线图也未提及各阶段的完成时间表。
