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发布时间：2024年12月26日 17:42:27 最热人已围观

简介在第70届国际微电子学会议IEDM上，中国浙江驰拓科技宣布了一项突破性的SOT-MRAM技术进展，该技术有效解决了存储器性能的关键瓶颈。这一创新不仅提升了存储器的速度和耐用性，还为未...

新标360快讯12月26日消息，媒体报道，国际微电子领域的一项顶尖学术会议——IEDM第70届年会上，来自中国的浙江驰拓科技展示了一项划时代的SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）技术进展，成功应对了该技术在大规模生产中遇到的关键挑战。

驰拓科技创新性地提出了适合大规模生产的无轨道垂直型SOT-MRAM器件设计，显著简化了SOT-MRAM的制造流程，降低了工艺难度，同时从根本上提升了器件的出货合格率。

这一结构的独创性在于将MTJ直接布局在两个底部电极之间，并允许进行过刻蚀操作，显著扩展了刻蚀窗口，减小了刻蚀过程的复杂性。

这一创新设计使得12英寸晶圆上SOT-MRAM器件的位元良率从99.6%提升至超过99.9%，满足了大规模生产的需求。

此外，该器件实现了2纳秒的写入速度，能够承受超过1万亿次的写入/擦除循环（测量时间上限），并展现出持续缩小的潜力。

传统方案

驰拓科技创新方案

据悉，SOT-MRAM具有纳秒级的写入速度和几乎无限的擦写次数，作为一种高性能非易失存储技术，具备替代CPU各级缓存的潜力，有望有效降低当前SRAM的成本和静态功耗问题。

然而，SOT-MRAM在器件的制造工艺方面面临极大的挑战，特别是传统方案的设计在理论上导致了刻蚀良率低下，这严重制约了其大规模生产和实际应用。